المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
AT45DB081E-SSHNHA-T |
إيك فلاش 8 ميجابايت SPI 85 ميجا هرتز 8 سويش
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
IS62WV102416DBLL-55TLI |
IC SRAM 16 ميجابايت متوازي 48TSOP I
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS46DR16320D-25DBLA2 |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
GS82582Q36GE-333I |
IC SRAM 288 ميجا بايت بار 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
W29N02KZDIBF |
فلاش IC 2 جيجابت متوازي 48VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS26KL128S-DABLI00 |
فلاش IC 128 ميجابايت بار 24VFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V124SA15TYG8 |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32SOJ
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
M95020-RMB6TG |
إي سي إيبروم 2 كيلو بايت SPI 8UFFPN
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
S29GL512T10TFI020 |
S29GL512T - 512 ميجابايت (64 ميجابايت)
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
W25Q40EWSNIG |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W66BQ6NBUAGJ TR |
اي سي درام 2 جيجابت LVSTL 11 200WFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS43DR16640B-3DBLI-TR |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجابت متوازية 84 تيرابايت جي ايه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
R1LV0408DSP-5SI#S0 |
IC SRAM 4 ميجا بايت بالتوازي 32SOP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
93C56AT-I/MNY |
إي سي إيبروم 2 كيلو بايت مايكرو واير 8TDFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY14V101QS-SF108XQT |
إيك NVSRAM 1 ميجابايت SPI 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
M48Z58Y-70PC1 |
IC NVSRAM 64 كيلوبت بار 28PCDIP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
71V3578S150PFGI8 |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
47L04-E/ST |
IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS25LP128-JMLE |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256BL-107MBL |
IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
SST39WF1601-70-4C-B3KE |
فلاش IC 16 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT4معدل التشغيل |
IC DRAM 24GBIT 2.133GHz FBGA QDP
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
AT28HC256-90SU-T |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت بار 28 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL256SDPMFV003 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AS7C351232-10BIN |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
S25FL064LABMFA001 |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1021BV33-12VC |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 44SOJ
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY62128ELL-55ZAXET |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 32STSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W631GU8NB-15 |
IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
11LC160-E/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SGL واير 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W25N02KVTCIR تي آر |
فلاش IC 2 جيجا بايت SPI/رباعي 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
FM25C160B-G |
IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY7C1024AV33-12BGC |
IC SRAM 3 ميجابايت متوازي 119PBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
AS4C256M16D3C-10BIN |
ذاكرة IC DRAM 4 جيجابت بار 96FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
MB85RS128BPNF-G-JNERE1 |
IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
|
Kaga FEI America، Inc.
|
|
|
|
|
|
93AA56AT-I/MC |
إي سي إيبروم 2 كيلو بايت مايكرو واير 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V416L12BEG8 |
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 48 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY62147G18-55ZSXI |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25R1635FM1IL0 |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
24LC65T/SM |
إي سي إيبروم 64 كيلوبت I2C 8SOIJ
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SST39SF040-70-4C-PHE |
فلاش IC 4 ميجابايت متوازي 32DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT25QL256BBB8E12-CAUT تر |
المسلسل ولا SPI 64MX4 TBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
ER5911/P |
إي سي إيبروم 1 كيلوبت سير 250 كيلو هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AS4C32M16D1A-5TIN |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
24LC02BH-E/MS |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
25LC020AT-E/OT |
إي سي إيبروم 2 كيلو بايت SPI SOT23-6
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AT24CS16-XHM-B |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8 TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FS512SDSNFI010 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY14V116G7-BZ30XI |
IC NVSRAM 16 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SM671PAE-بفسس |
Ferri-UFS BGA 153-b eMMC 3D TLC
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|