المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
AT28C256F-15FM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت بار 28 فلات بي كيه
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W25M512JVFIQ |
إي سي فلاش 512 ميجابايت SPI 16 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
93C66B-E/SN |
IC إيبروم 4KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V67603S133BGGI |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MT47H128M16RT-25E آيت:C تر |
ذاكرة IC DRAM 2 جيجابت متوازية 84FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
AS7C1024B-15TJCN |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32TSOP I
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
SST26VF064BT-104V/SO |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24LC024H-E / ص |
إيسي إيبروم 2KBIT I2C 1 ميجا هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W63AH6NBVACI |
اي سي درام 1 جيجابت HSUL 12 178VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
24VL024T/MS |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29JL064J55BHI003 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71321LA20JG8 |
IC SRAM 16 كيلو بايت بالتوازي 52PLCC
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS46TR16640C-125JBLA2 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
25A512-I/ST |
إي سي إيبروم 512 كيلو بايت SPI 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SM671PBD-BFSS |
Ferri-UFS BGA 153-b eMMC 3D TLC
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2B4-6A IT: G |
IC DRAM 256 ميجابايت بار 54VFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S26HS02GTFPBHM050 |
اي سي فلاش 2 جيجا بايت هايبر باص 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GD25WD80CEIGR |
IC FLSH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8USON
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6P |
إيك إيبروم 1 ميجابايت I2C 1 ميجا هرتز 8 سويش
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
24LC024-E/ST |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24AA64F-I / MS |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت I2C 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1514V18-200BZXI |
IC SRAM 72 ميجابايت بالتوازي 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY7C107B-25VC |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 28SOJ
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
93LC56CT-E/MS |
إي سي إيبروم 2 كيلوبت ميكروواير 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS61WV102416EDBLL-10B2LI |
IC SRAM 16 ميجابايت بالتوازي 48TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7S1061GE-10ZXI |
IC SRAM 16 ميجابايت متوازي 48TSOP I
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V3579S80PFGI |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS43DR16160B-3DBLI-TR |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 84TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS7C4098A-20TCN |
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 44TSOP2
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
71256L25DB |
IC SRAM 256 كيلو بايت بالتوازي 28 CDIP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25HS01GTFABHM030 |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS42S83200G-6TLI-TR |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
A0655411-C |
ديل A0655411 متوافق مع ذاكرة DDR سعة 2 جيجابايت
|
برولابز
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGBHEC13 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71256SA20PZG8 |
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28TSOP
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
IS25WP256D-JMLE |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABBFAH4-AAT: و |
فلاش IC 4 جيجابت متوازي 63VFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
إي سي درام 576 ميجابايت HSTL 144TFBGA
|
رينيساس
|
|
|
|
|
|
70V38L20PFGI8 |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MR4A08BYS35 |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 16 ميجابايت متوازية 44TSOP2
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
M24C32-WDW6TP |
إي سي إيبروم 32 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8 TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
CY15B064J-SXAT |
إطار IC 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S25FL256SDSMFBG00 |
S25FL256S - 256 ميجابت، 3.0 فولت سيموس
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
GS4576C18GM-18I |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
24LC512T-I / SN |
إي سي إيبروم 512 كيلو بايت I2C 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS62WV102416FBLL-45BLI |
IC SRAM 16 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V3577S85BQG |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت PAR 165CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS43LD16640C-25BLI |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGBHA213 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT47H128M16RT-25E IT:C TR |
ذاكرة IC DRAM 2 جيجابت متوازية 84FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|