W971GG8NB25I تي آر
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
وينبوند للإلكترونيات
الوصف:
اي سي درام 1 جيجابت SSTL 18 60VFBGA
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
1 جيجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
SSTL_18
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
15ns
حزمة أجهزة المورد:
60-VFBGA (8x9.5)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
وينبوند للإلكترونيات
تردد الساعة:
400 ميغاهرتز
الجهد - الإمدادات:
1.7 فولت ~ 1.9 فولت
وقت الوصول:
57.5 ns
الحزمة / الحقيبة:
60-VFBGA
منظمة الذاكرة:
128 م × 8
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح)
التكنولوجيا:
ذاكرة SDRAM - DDR2
رقم المنتج الأساسي:
W971GG8
تنسيق الذاكرة:
درهم
مقدمة
SDRAM - ذاكرة DDR2 IC 1Gbit SSTL_18 400 MHz 57.5 ns 60-VFBGA (8x9.5)
منتجات ذات صلة
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E تي آر
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I تي آر
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I تي آر
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 تي آر
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E تي آر
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I تي آر
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E تي آر |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I تي آر |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I تي آر |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 تي آر |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E تي آر |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I تي آر |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: