W971GG6NB-18I تي آر
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
وينبوند للإلكترونيات
الوصف:
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
1 جيجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
SSTL_18
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
15ns
حزمة أجهزة المورد:
84-تفبجا (8x12.5)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
وينبوند للإلكترونيات
تردد الساعة:
533 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
1.7 فولت ~ 1.9 فولت
وقت الوصول:
58.125 ns
الحزمة / الحقيبة:
84-TFBGA
منظمة الذاكرة:
64 م × 16
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح)
التكنولوجيا:
ذاكرة SDRAM - DDR2
رقم المنتج الأساسي:
W971GG6
تنسيق الذاكرة:
درهم
مقدمة
SDRAM - ذاكرة DDR2 IC 1Gbit SSTL_18 533 MHz 58.125 ns 84-TFBGA (8x12.5)
منتجات ذات صلة
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E تي آر
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I تي آر
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I تي آر
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 تي آر
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E تي آر
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I تي آر
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E تي آر |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I تي آر |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I تي آر |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 تي آر |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E تي آر |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I تي آر |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: