W29N02KVBIAE TR
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
وينبوند للإلكترونيات
الوصف:
فلاش اي سي 2 جيجا بايت ONFI 63VFBGA
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
ONFI
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
25ns
حزمة أجهزة المورد:
63-VFBGA (9 × 11)
نوع الذاكرة:
غير متطاير
مفر:
وينبوند للإلكترونيات
حجم الذاكرة:
2 جيجابت
الجهد - الإمدادات:
2.7 فولت ~ 3.6 فولت
وقت الوصول:
20 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
63- VFBGA
منظمة الذاكرة:
256 م × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
فلاش - ناند (SLC)
رقم المنتج الأساسي:
W29N02
تنسيق الذاكرة:
فلاش
مقدمة
فلاش - NAND (SLC) ذاكرة IC 2Gbit ONFI 20 ns 63-VFBGA (9x11)
منتجات ذات صلة
W97AH6NBVA1E تي آر
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I تي آر
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I تي آر
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 تي آر
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E تي آر
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I تي آر
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I تي آر
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
W97AH6NBVA1E تي آر |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I تي آر |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I تي آر |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 تي آر |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E تي آر |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I تي آر |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I تي آر |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: