W25R512NWEIQ TR
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
وينبوند للإلكترونيات
الوصف:
اي سي فلاش 512 ميجابايت SPI 8WSON
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
512 ميجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
تم التحقق
واجهة الذاكرة:
SPI
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
8-WSON (8 × 6)
نوع الذاكرة:
غير متطاير
مفر:
وينبوند للإلكترونيات
تردد الساعة:
133 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
1.7 فولت ~ 1.95 فولت
الحزمة / الحقيبة:
8-WDFN وسادة مكشوفة
منظمة الذاكرة:
-
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C
التكنولوجيا:
فلاش - ولا
رقم المنتج الأساسي:
W25R512
تنسيق الذاكرة:
فلاش
مقدمة
فلاش - NOR ذاكرة IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WSON (8x6)
منتجات ذات صلة
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E تي آر
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I تي آر
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I تي آر
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 تي آر
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E تي آر
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I تي آر
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E تي آر |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I تي آر |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I تي آر |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 تي آر |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E تي آر |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I تي آر |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: