المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
S25FL256SDPBHVC10 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GS840Z36CGT-250I |
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
M30082040054X0PSAR |
ذاكرة IC RAM 8MBIT SPI 54MHZ 8SOIC
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MR25H256MDF |
ذاكرة الوصول العشوائي 256KBIT SPI 40MHZ 8DFN
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
AT25M02-SSHM-T |
إيك إيبروم 2 ميجابايت SPI 5 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
FEMC256GBE-E530 |
اي سي فلاش 2 تيرا بايت EMMC 5.1 100FBGA
|
شركة فليكسون بي تي إي المحدودة
|
|
|
|
|
|
CY62256VLL-70ZRIT |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S29GL064S70BHI030 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS43DR16640C-25DBLI |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجابت متوازية 84 تيرابايت جي ايه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
W66CL2NQUAFJ TR |
اي سي درام 4 جيجا بايت LVSTL 11 200WFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT47H256M4HQ-5E:E TR |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجابت متوازية 60FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGBHI210 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR |
IC SRAM 16 ميجابايت متوازي 48TSOP I
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
FM25V10-GTR |
إطار IC 1 ميجابايت SPI 40 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT24CS32-SSHM-B |
IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY14V104NA-BA25XIT |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
11LC161-I/P |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SGL واير 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24LC014-I / ص |
إي سي إيبروم 1KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MX25L5121EMC-20G |
إيك فلاش 512 كيلو بايت SPI 45 ميجا هرتز 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
24LC025T-E/SN |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY14B101LA-BA25XIT |
IC NVSRAM 1 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST39VF1601C-70-4C-EKE |
فلاش IC 16 ميغا بايت متوازي 48TSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL128SDSBHA210 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS42S16160J-6TLI |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:أ |
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
MX29LV160DBTI-70G |
فلاش IC 16 ميغا بايت متوازي 48TSOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
AT24HC04BN-SH-B |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AS8C401801-QC166N |
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CY7C199L-15VCT |
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28SOJ
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY14B101LA-SP25XI |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AS6C4008-55STIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
IS62WV20488BLL-25MLI |
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S34ML04G104BHV010 |
فلاش اي سي 4 جيجا بايت متوازي 63 جيجا
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY14V101QS-SE108XQT |
إيك NVSRAM 1 ميجابايت SPI 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S29GL256S10DHSS60 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GS8673ED36BGK-675I |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 675 ميجا هرتز 260 بيغا
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
CYD18S18V18-200BBAXI |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 256FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
71V67603S133BGG8 |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MX30LF2G28AD-XKI |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
S26HS01GTGABHV020 |
اي سي فلاش 1 جيجا بايت هايبر باص 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25L6436EM2I-10G |
IC FLASH 64MBIT SPI 104MHZ 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
93LC86BT-E/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت ميكروواير 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24LC01BT-I/MC |
إي سي إيبروم 1KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AT93C86A-10PU-1.8 |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت 3 أسلاك 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SM662GXE بفست |
اي سي فلاش 2 تيرا بايت EMMC 100BGA
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|
|
|
|
S25FL256SAGBHEA00 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W632GG6NB09I |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 2 جيجابت بار 96VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS25LP512MH-RMLE-TY |
IC FLASH 512MBIT SPI QUAD 16SOIC
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
R1EX24032ATA00A#S0 |
إيبروم، 4KX8، تسلسلي
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|