AS8C401801-QC166N
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
Alliance Memory، Inc.
الوصف:
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 100TQFP
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
4 ميجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
6ns
حزمة أجهزة المورد:
100-TQFP (14 × 20)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
Alliance Memory، Inc.
تردد الساعة:
166 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
3.135 فولت ~ 3.465 فولت
وقت الوصول:
3.5 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
100-LQFP
منظمة الذاكرة:
256 كيلو × 18
درجة حرارة العمل:
0°C ~ 70°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - متزامن، حقوق السحب الخاصة
رقم المنتج الأساسي:
AS8C401801
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - ذاكرة متزامنة ، SDR IC 4Mbit متوازية 166 MHz 3.5 ns 100-TQFP (14x20)
منتجات ذات صلة
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: