المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
IS42S16100H-7BL |
ذاكرة IC DRAM 16 ميجابايت بار 60 تي إف بي جي إيه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24LC04BH-E/ST |
إي سي إيبروم 4KBIT I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
PC28F320C3BD70A |
فلاش IC 32 ميجابايت PAR 64EASYBGA
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
IS25WP080D-JNLE-TR |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
25A512-I / SN |
إي سي إيبروم 512 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL256S90TFA023 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST39VF020-70-4C-NHE |
فلاش IC 2 ميجابايت متوازي 32PLCC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7S1061G30-10BVXIT |
IC SRAM 16 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V67603S150BQ |
IC SRAM 9 ميجا بايت بار 165 كابجا
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
93LC46AT-I / OT |
IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
الـ RT RT RT RT RT RT |
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
25LC080CT-E/MS |
إيك إيبروم 8KBIT SPI 10 ميجا هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS65C1024AL-45TLA3 |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32TSOP I
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
DS1245Y-120IND + |
IC NVSRAM 1 ميجابايت متوازي 32EDIP
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
CY7C1512KV18-250BZIT |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S29GL512S11FHI020 |
S29GL512S - 512 ميجابت (64 ميجابايت)،
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
24LC025T-I/ST |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24LC512-E/P |
إي سي إيبروم 512 كيلو بت I2C 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1361C-133AXI |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V67602S150BGI |
IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1548KV18-450BZC |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S25FL128SDPBHB303 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT34C02D-XHM-B |
إيك إيبروم 2KBIT I2C 1 ميجا هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S34ML04G100BHI003 |
فلاش اي سي 4 جيجا بايت متوازي 63 جيجا
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
93LC86CT-I / MC |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت ميكروواير 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS64LF12836A-7.5B3LA3 |
IC SRAM 4.5 ميجابايت بار 165TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S25FL512SDPBHI210 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1471V25-133AXC |
IC SRAM 72 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S25FL128SAGMFVG03 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST39VF200A-70-4C-B3KE |
فلاش IC 2 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V424S10PHG |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 |
IC SRAM 8 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
25LC040X-I/ST |
إيسي إيبروم 4KBIT SPI 2 ميجا هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W25N01GVTBIG TR |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
71V3556SA166BG |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS61QDB42M36A-300M3L |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CAT24C256YI-G |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت I2C 8TSSOP
|
نصف
|
|
|
|
|
|
أوتي 25 دي إن 256 - إس إس إتش إتش إف جي بي بي |
اي سي فلاش 256 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
SST26VF016BT-104V/SM |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويج
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71T75602S133PFG8 |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C1515KV18-300BZXC |
CY7C1515KV18 - QDR SRAM، 2MX36،
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT4معدات التشغيل |
LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
W632GU8NB-12 |
ذاكرة IC DRAM 2 جيجابت متوازية 78VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
24LC64-I / SN |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت I2C 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS43QR16512A-083TBLI |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT4112M2M2M2M2M2M2 |
ذاكرة IC DRAM 4 جيجا بايت متوازية 96FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
71T75802S100BG8 |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
70V659S10BF |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 208 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
93LC56BT-I / MC |
إي سي إيبروم 2 كيلو بايت مايكرو واير 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W25N02JWTBIC TR |
فلاش IC 2 جيجا بايت SPI/رباعي 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|