71V67603S150BQ

الصانع:
IDT ، Integrated Device Technology Inc
الوصف:
IC SRAM 9 ميجا بايت بار 165 كابجا
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حجم الذاكرة:
9 ميغابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
165-كابجا (13x15)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
IDT ، Integrated Device Technology Inc
تردد الساعة:
150 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
3.135 فولت ~ 3.465 فولت
وقت الوصول:
3.8 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
165 تيرا بايت في الثانية
منظمة الذاكرة:
256 كيلو × 36
درجة حرارة العمل:
0°C ~ 70°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - متزامن، حقوق السحب الخاصة
رقم المنتج الأساسي:
71V67603
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - ذاكرة متزامنة ، SDR IC 9Mbit موازية 150 MHz 3.8 ns 165-CABGA (13x15)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: