المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
W9712G6KB25I |
IC DRAM 128 ميجابايت بار 84TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT4معدات التشغيل |
LPDDR4 16G 1GX16 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S29GL128P11FFIV23 |
فلاش IC 128 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST39VF400A-70-4I-B3KE-T |
فلاش IC 4 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL064LABMFV000 |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1361C-100BZXET |
IC SRAM 9 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT40A1G16KH-062E AUT: E |
DDR4 16G 1GX16 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
AT28C256-25UM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلوبت بار 28CPGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V67603S150BG8 |
IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29AL016J55TFNR10 |
فلاش IC 16 ميغا بايت متوازي 48TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AS6C2008-55BIN |
IC SRAM 2 ميجابايت متوازي 36TFBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
IS61WV6416BLL-12KLI-TR |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 44SOJ
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABNFI101 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT2معدل الوصول |
LPDDR5 64G 2GX32 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
24LC00T-I/ST |
إي سي إيبروم 128B I2C 400 كيلو هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AS7C256A-10TCN |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
CY7C1354C-200AXCT |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S29GL512S12TFVV20 |
فلاش IC 512 ميجابايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BR25H640FVM-5ACTR |
إي سي إيبروم 64 كيلوبت SPI 20 ميجا هرتز 8MSOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY62137CV30LL-55BVXI |
IC SRAM 2 ميجابايت متوازي 48VFBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CAT25040HU4I-GT3 |
إيسي إيبروم 4KBIT SPI 10 ميجا هرتز 8UDFN
|
نصف
|
|
|
|
|
|
BR25S256FJ-WE2 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت SPI 8SOPJ
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
SST39VF1601-70-4C-EKE-T |
فلاش IC 16 ميغا بايت متوازي 48TSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL256SAGBHEA03 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS25LP512M-JLLE-TR |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S25FS256SAGBHI300 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
70T3399S166BC8 |
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 256 CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71V416L15PHG8 |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24LC512-E / SM |
إي سي إيبروم 512 كيلو بت I2C 8 سويج
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
93LC66A / SN |
IC إيبروم 4KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AT24CM01-SHD-T |
إيك إيبروم 1 ميجابايت I2C 1 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
الـ MT5A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4 |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 64 جيجا بايت بار 376WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
71256SA20TPGI |
IC SRAM 256 كيلو بايت بالتوازي 28DIP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS43R16320D-5TLI-TR |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
70V3569S4BF8 |
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MT4معدل التشغيل |
اي سي درام 8 جيجابت 2.133 جيجا هرتز 200WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
AT93C56B-MAHM-T |
IC إيبروم 2KBIT 3-WIRE 8 خريطة صغيرة
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABMFI000 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W25N01JWTBIG TR |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
71V65703S80PFGI |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY62187G30-55BAXI |
IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V65803S133BQI8 |
IC SRAM 9 ميجابايت متوازي 165 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24CS256T-E/OT |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت I2C SOT23-5
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25HS01GTDPBHA030 |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GS8662T36BGD-350I |
IC SRAM 72 ميجابايت متوازي 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
S70FL01GSAGMFA013 |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
34LC02T-I/MS |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 1 ميجا هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
NDS36PT5-16ET |
حقوق السحب الخاصة 256 ميجابايت X16 TSOPII 54L 10X22(X
|
شركة إنسيجنيس للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
S29GL512S11FHIV23 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT2معدل التشغيل |
LPDDR5 32G 1GX32 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|