CY7C1361C-100BZXET
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
تقنيات إنفينيون
الوصف:
IC SRAM 9 ميجابايت بار 165FBGA
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
9 ميغابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
165-FBGA (13 × 15)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
تقنيات إنفينيون
تردد الساعة:
100 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
3.135 فولت ~ 3.6 فولت
وقت الوصول:
8.5 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
165 رطل
منظمة الذاكرة:
256 كيلو × 36
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا)
التكنولوجيا:
SRAM - متزامن، حقوق السحب الخاصة
رقم المنتج الأساسي:
CY7C1361
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - ذاكرة متزامنة ، SDR IC 9Mbit متوازية 100 MHz 8.5 ns 165-FBGA (13x15)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: