M5M5V108DKV-70HIST
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
رينيساس
الوصف:
ستاندرد SRAM، 128KX8، 70NS، CMO
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
*
مفر:
رينيساس
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
مقدمة
ذاكرة Ic
منتجات ذات صلة
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI # D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
R1LP5256ESA-5SI#B1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
UPD48288236AF1-E24-DW1-A
IC DRAM 288MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576118F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI # D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#B1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
UPD48288236AF1-E24-DW1-A |
IC DRAM 288MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576118F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: