R1WV6416RBG-5SI#B0
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
رينيساس
الوصف:
R1WV6416RBG-5SI - ذاكرة SRAM ذات الطاقة المنخفضة
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
55ns
حزمة أجهزة المورد:
48-TFBGA (8.5x11)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
رينيساس
حجم الذاكرة:
64 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
2.7 فولت ~ 3.6 فولت
الحزمة / الحقيبة:
48-TFBGA
منظمة الذاكرة:
4M × 16، 8M × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - غير متزامن
وقت الوصول:
55 نانوثانية
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - ذاكرة غير متزامنة IC 64Mbit متوازية 55 ns 48-TFBGA (8.5x11)
منتجات ذات صلة
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI # D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI # D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: