المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
71V67903S75BQI |
IC SRAM 9 ميجا بايت بار 165 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S26KS512SDPBHM020 |
فلاش IC 512 ميجابايت بار 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST26VF020AT-104I/SN |
فلاش IC 2 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
70T659S10BC |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 256 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C1062GN30-10BGXIT |
IC SRAM 16 ميجا بايت بالتوازي 119PBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25U4033EM1I-12G |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
IS25WP016D-JNLE-TR |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
GS82583ED36GK-675I |
IC SRAM 288 ميجا بايت بار 260 جيجا بايت
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
25C040 / SN |
إي سي إيبروم 4 كيلو بايت SPI 3 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W9812G2KB-6I |
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
71V424L12YG |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 36SOJ
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
M95040-RMN6TP |
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
CY62256LL-70ZRIT |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABAEAWP-IT: هـ |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
70V631S15BC |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 256 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24AA16T-I / MC |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت I2C 400 كيلو هرتز 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY14B101KA-SP45XI |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C2265KV18-400BZXI |
IC SRAM 36 ميجابايت بالتوازي 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V3579S75PFGI |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
GS82582Q18GE-333I |
IC SRAM 288 ميجا بايت بار 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
DS1245YP-70IND + |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
CY7C1011CV33-12AI |
IC SRAM 2 ميجابايت متوازي 44TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S29GL256S10DHIV10 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY7C2163KV18-550BZXI |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
R1LP0408DSP-7SI#B0 |
IC SRAM 4 ميجا بايت بالتوازي 32SOP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
W979H6KBVX2I |
IC DRAM 512 ميجابايت بار 134VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
25AA128-I/SM |
إي سي إيبروم 128 كيلوبت SPI 8SOIJ
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V2546S100PFG8 |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
FM24C04B-GTR |
إطار IC 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1315JV18-300BZXC |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT4معدل التشغيل |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 4GBIT 2.133GHZ WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
71V416S12PHGI |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL256P10FFI022 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
70V05L15JG8 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C199CN-15VXCKJ |
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28SOJ
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
W25Q01JVTBIQ |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
BR25H080FVT-2CE2 |
إي سي إيبروم 8 كيلو بايت SPI 8TSSOPB
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY7C025AV-20AXC |
IC SRAM 128 كيلو بايت بالتوازي 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IS43LD16128B-25BL |
ذاكرة IC DRAM 2 جيجابت متوازية 134TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24LC16BH-I/MS |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت I2C 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1365CV33-133AXC |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SST26VF080AT-80E/SN |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AT24C02C- مضخة |
إيسي إيبروم 2KBIT I2C 1 ميجا هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS42S16160J-6BLI-TR |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS42S32800J-7BLI-TR |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT4معدل التشغيل |
اي سي درام
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
93C66CT-I/MC |
إي سي إيبروم 4 كيلو بايت مايكرو واير 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS45S16160G-7CTLA1-TR |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY62256VLL-70SNXC |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CAT25C16ZD2GI-26696 |
CAT25C16 - 16K SPI إيبروم التسلسلي
|
نصف
|
|
|