المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
FEMC128GBG-T340 |
IC FLASH 1TBIT EMMC 153FBGA
|
شركة فليكسون بي تي إي المحدودة
|
|
|
|
|
|
S29GL256P11FFI022 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT28BV64B-20SU-T |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت بالتوازي 28 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MB85RC64TAPNF-G-AWERE2 |
إيك فرام 64 كيلو بايت I2C 3.4 ميجا هرتز 8SOP
|
Kaga FEI America، Inc.
|
|
|
|
|
|
S29GL512T11DHV010 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W9864G2JH-6I |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 86TSOP II
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
93C66C-E/P |
إي سي إيبروم 4 كيلو بايت ميكروواير 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) |
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CY7C1462KVE33-167AXC |
IC SRAM 36 ميجا بايت بار 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S25HS01GTFABHM033 |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS66WV51216EBLL-70TLI-TR |
IC PSRAM 8 ميجابايت بار 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS4C16M32MSA-6BIN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
7005L15JG |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
93C56AT-I/ST |
إي سي إيبروم 2 كيلو بت مايكرو واير 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SST26WF040BT-104I / SN |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MB85RS2MTYPNF-G-AWE2 |
IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOP
|
Kaga FEI America، Inc.
|
|
|
|
|
|
CY15B201QN-50SXET |
فرام
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT28C256E-20UM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلوبت بار 28CPGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
25LC256-I / SN |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
23LC512-E/P |
IC SRAM 512KBIT SPI/رباعية 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
93LC86B-E/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت ميكروواير 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1354SV25-166BZC |
IC SRAM 9 ميجابايت متوازي 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
W25Q64JWBYIM TR |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 12WLCSP
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
FEMC002GTTE7-T14-17 |
اي سي فلاش 16 جيجا بايت EMMC 153FBGA
|
شركة فليكسون بي تي إي المحدودة
|
|
|
|
|
|
BR25L320FJ-WE2 |
إي سي إيبروم 32 كيلوبت SPI 5 ميجا هرتز 8SOPJ
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
S26KL512SDABHV020 |
فلاش IC 512 ميجابايت بار 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25V40066M2I02 |
ذاكرة
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
BR25H080FVT-WCE2 |
إيك إيبروم 8KBIT SPI 5 ميجا هرتز 8TSSOPB
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
IS42S32160F-7TL |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 86TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
R1RW0416DSB-0PR#D0 |
ذاكرة الوصول العشوائي القياسية، 256KX16
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
NV24C16SNVLT3G |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت I2C 5TSOP
|
نصف
|
|
|
|
|
|
71V3559S85BG |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
الـ MT5 |
IC SRAM 18 ميجابايت HSTL 165FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CY7C1354SV25-166AXC |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S29GL064S80DHV040 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT24C512C-XHM-B |
إي سي إيبروم 512 كيلو بايت I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CAT25040VI-GT3 |
إي سي إيبروم 4KBIT SPI 8SOIC
|
نصف
|
|
|
|
|
|
93C66AT-I/MC |
إي سي إيبروم 4 كيلو بايت مايكرو واير 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BINTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR |
IC SRAM 16 ميجابايت متوازي 48TSOP I
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
W25Q40EWBYIG TR |
فلاش آي سي 4 ميجابايت SPI/رباعي 8WLCSP
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
71V2546S133PFG8 |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
EM6GA16LCAEA-12H |
ذاكرة الوصول العشوائي IC DRAM 256 ميجابايت PAR 50WLCSP
|
شركة " إترون " للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
W631GG8NB-11 تي آر |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
71V67602S133PFGI8 |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
الـ MT5 |
IC SRAM 18 ميجابايت HSTL 165FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S25FL256SDPMFIG10 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GD25LQ80CSIG |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
IS61C25616AS-25TLI |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S70FS01GSDSBHV213 |
فلاش آي سي 1 جيجا بايت SPI/رباعي 24 جيجا
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|