المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
AF064GEC5X-2004IX |
64 جيجابايت E.MMC 153 كرة I-TEMP BGA
|
شركة (ات بي تي إلكترونيكس)
|
|
|
|
|
|
S29AL016J55BFIR20 |
فلاش IC 16 ميغا بايت متوازي 48TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25U51245GZ4I54 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
BR25G320NUX-3TR |
إي سي إيبروم 32 كيلو بت VSON008X2030
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
M24C64-RDW6TP |
IC إيبروم 64 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
SST39VF040-70-4C-WHE |
فلاش IC 4 ميجابايت متوازي 32TSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
M24C08-WMN6P |
إيك إيبروم 8KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8 سويش
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
93LC46CT-I/MS |
إي سي إيبروم 1 كيلو بايت ميكروواير 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY15B004Q-SXE |
ذاكرة FRAM (FERROELECTRIC RAM)
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SST39VF1602C-70-4C-EKE |
فلاش IC 16 ميغا بايت متوازي 48TSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CAV24M01YE-G |
إيبروم، 128KX8، المسلسل، سيموس
|
نصف
|
|
|
|
|
|
93C46B-I / SN |
IC إيبروم 1KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CYD36S72V18-167BGXI |
IC SRAM 36 ميجا بايت بار 484PBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
AT28C256-15UM / 883-815 |
إي سي إيبروم 256 كيلوبت بار 28CPGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
BR24H256F-5ACE2 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8SOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
إضافة إلى ذلك ، يجب أن يكون هناك إضافات إلى الاختبار. |
اي سي فلاش 256 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
CY62147G30-45B2XI |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
AS7C38096B-10BINTR |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
CY7C1518AV18-250BZXI |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
GD25S512MDYIGR |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
SST39WF1601-70-4I-B3KE |
فلاش IC 16 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
24FC16T-I/OT |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت I2C SOT23-5
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
NDL46PFP-5GET TR |
DDR3L 4GB X16 FBGA 7.5X13.5(X1.2
|
شركة إنسيجنيس للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
M5M5256DFP-70XL#SM |
معيار SRAM، 32KX8، 70NS
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3-TR |
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24FC01-I/ST |
إيسي إيبروم 1KBIT I2C 1 ميجا هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71016S15PHG |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 44TSOP II
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
24AA024T-I / SN |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY14B104NA-ZS45XE |
IC NVSRAM 4 ميجابايت بار 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V416L15BEGI |
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 48 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
23K256T-I / SN |
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V65803S133BGG |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
AS6C62256-55SINTR |
IC SRAM 256KBIT موازي 28SOP
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
70T3339S133BCI8 |
IC SRAM 9 ميجا بايت بالتوازي 256 CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
AT25DF321A-CCU-T |
إيك فلاش 32 ميجا بايت SPI 100 ميجا هرتز 9UBGA
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
IS61LV12816L-10TL |
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
93C46BX-I/SN |
IC إيبروم 1KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V67803S166BG |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71V67703S80PFGI |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24LC256-E/P |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت I2C 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT53E128M32D2DS-046 بالوزن: أ |
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S25FL512SDPMFVG11 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1320JV18-300BZC |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT421معدل التشغيل |
IC DRAM 576 ميجابايت بالتوازي 144FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S25HS512TFANHI010 |
فلاش - ولا ذاكرة IC 512 ميجابايت (64 ميجابايت
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IS61LP6436A-133TQLI-TR |
IC SRAM 2 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1380D-167BZCT |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
93C46BT/ST |
إي سي إيبروم 1 كيلو بايت مايكرو واير 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
25LC128-E/MF |
إي سي إيبروم 128 كيلو بايت SPI 10 ميجا هرتز 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|