المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
71V67803S133BGG |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
AT28HC256F-90UM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلوبت بار 28CPGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
S80KS5123GABHV020 |
IC PSRAM 512 ميجابايت SPI/OCTL 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W948D2FBJX5E |
IC DRAM 256 ميجابايت بار 90VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS25WP064A-RHLE |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 24TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V416L10PHGI |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
11LC160T-I/MNY |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SGL واير 8TDFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1345S-100AXCT |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
24VL024/MS |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
الـ MT55V512V32PF-10 |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
GS8662T18BGD-350I |
IC SRAM 72 ميجابايت متوازي 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
CY14B512Q2A-SXI |
IC NVSRAM 512KBIT SPI 8SOIC
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
W25M512JWBIQ |
إي سي فلاش 512 ميجابايت SPI 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS25WP128-RMLE-TR |
IC FLASH 128MBIT SPI 16SOIC
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7S1061G30-10ZXI |
IC SRAM 16 ميجابايت متوازي 48TSOP I
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AS7C3256A-20جينتر |
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
BR93L56RFVT-WE2 |
إيك إيبروم 2 كيلوبت SPI 2 ميجا هرتز 8TSSOPB
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
71V65703S75PFG8 |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MT4معدات التسويق |
IC DRAM 64GBIT 2.133GHz FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
24FC512-I / SM |
إي سي إيبروم 512 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8 سويج
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
25LC010AT-E/OT |
إي سي إيبروم 1 كيلو بايت SPI SOT23-6
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL128S10TFI010 |
IC FLASH 128 ميجابايت موازية 56TSOP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SST26VF016BT-104V / SN |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1351G-133AXC |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
GD25Q20CTIG |
فلاش IC 2 ميجابايت SPI/رباعي الإدخال/الإخراج 8SOP
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
71V3556SA133BQGI |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت PAR 165CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71V67703S85BQI |
IC SRAM 9 ميجابايت بار 87 ميجا هرتز 165 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS61LPS25636A-200TQLI-TR |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
FM24V02A-G |
الذاكرة المتسلسلة، 32KX8 PDSO8
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S25FL064LABNFI043 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AS7C3513B-12JCN |
IC SRAM 512 كيلوبت بالتوازي 44SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
S29GL512S11FHIV23 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
24AA025T-I/OT |
IC EEPROM 2KBIT I2C SOT23-6
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL128S10TFV010 |
IC FLASH 128 ميجابايت موازية 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST26WF016BT-104I/MF |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 8WDFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AS4C256M16D4-83BIN |
IC DRAM 4 جيجا بايت بار 1.2 جيجا هرتز 96FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
S25FS128SAGNFI003 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S26KS256SDABHM030 |
فلاش IC 256 ميجابايت بار 24FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
24C02CT-E/MS |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 100 كيلو هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS61DDPB41M18A-400M3L |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 165LFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
GS881Z36CGD-300I |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
CAT93C76BYI-GT3 |
إي سي إيبروم 8 كيلو بت مايكرو واير 8TSSOP
|
نصف
|
|
|
|
|
|
25LC080D-H/SN |
إي سي إيبروم 8 كيلو بايت SPI 5 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V3559S75BQ |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت PAR 165CABGA
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
MT4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102M4102 |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CY14B104NA-ZSP25XI |
IC NVSRAM 4 ميجابايت بار 54TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
70T3339S200BC |
IC SRAM 9 ميجا بايت بالتوازي 256 CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MR2A08AYS35 |
ذاكرة IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
11LC161-E/P |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SGL واير 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|