المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
S29PL064J60BFI120 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:أ TR |
فلاش IC 2 تيرابايت متوازي 132 فولتغا
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
70V05L20PFGI8 |
IC SRAM 64 كيلو بايت متوازي 64TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71T75802S133BG8 |
IC SRAM 18 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C15632KV18-450BZXI |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GS81313LD36GK-625I |
IC SRAM 144MBIT PAR 260BGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
IS43R16160D-6BLI |
ذاكرة الوصول العشوائي IC DRAM 256 ميجابايت PAR 60TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
R1LP0108ESF-5SI#B0 |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32TSOP I
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL256P10FFI012 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SM662PBC بفست |
اي سي فلاش 512 جيجا بايت EMMC 153BGA
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|
|
|
|
71V3556SA166BGG |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
93LC56AX-I / SN |
IC إيبروم 2KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W978H6KBVX2E تي آر |
IC DRAM 256 ميجابايت HSUL 12 134VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
93C66AT-I/OT |
سلك ميكروفون IC EEPROM 4KBIT SOT23-6
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MX29GL640ETTI-90G |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 48TSOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
BR25S320FVM-WTR |
إي سي إيبروم 32 كيلوبت SPI 20 ميجا هرتز 8MSOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
93C56BT-I/MS |
إي سي إيبروم 2 كيلوبت ميكروواير 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24LC08B-E/ST |
إي سي إيبروم 8KBIT I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S26HS01GTFPBHM020 |
اي سي فلاش 1 جيجا بايت هايبر باص 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
93AA56CT-I/MNY |
إي سي إيبروم 2 كيلو بايت مايكرو واير 8TDFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL01GS10FAI013 |
فلاش IC 1 جيجابت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS46LR32160C-6BLA2 |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY62137EV30LL-45ZSXIT |
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V3558SA133BQGI8 |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت PAR 165CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS25LP016D-JBLE |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS7C316098A-10BIN |
IC SRAM 16 ميجابايت بالتوازي 48TFBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
W9864G6JT-6I تي آر |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 64 ميجابايت LVTTL 54TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
24CW640-I/SN |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S-93C56BD0I-J8T1U |
إي سي إيبروم 2 كيلوبت SPI 2 ميجا هرتز 8SOP
|
شركة ABLIC
|
|
|
|
|
|
DS1245Y-120 + |
IC NVSRAM 1 ميجابايت متوازي 32EDIP
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
BR24G1MFJ-5AE2 |
إيك إيبروم 1 ميجابايت I2C 1 ميجا هرتز 8SOPJ
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
AS4C2M32S-6BIN |
ذاكرة IC DRAM 64 ميجابايت متوازية 90TFBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
S25HL512TDPNHB010 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
70V639S12BCI |
IC SRAM 2.25 ميجا بايت بار 256 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
BR34E02FVT-WE2 |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 8TSSOPB
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
25LC080A-E/P |
إي سي إيبروم 8 كيلوبت SPI 10 ميجا هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL01GT10TFA010 |
فلاش IC 1 جيجا بايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT28HC256-12JU |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت بار 32 بي إل سي سي
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
M95640-RMC6TG |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت SPI 8UFFPN
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
SST39SF010A-55-4I-WHE |
فلاش IC 1 ميجابايت متوازي 32TSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
الـ AT25FF041A-SHN-B |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
AT28C256-25FM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت بار 28 فلات بي كيه
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS42S32160F-6BLI |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24AA16H-I/MS |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت I2C 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
70V08L15PFG8 |
IC SRAM 512 كيلو بايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY15V104QSN-108SXIT |
إطار IC 4 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT4معدل التشغيل |
LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
SM662PXD أفضل |
اي سي فلاش EMMC 100BGA
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|
|
|
|
EMMC16G-TB29-70H01 |
إي إم إم سي 5.1 (HS400) 153B 16 جيجابايت
|
كينغستون
|
|
|
|
|
|
BR24H64NUX-5ACTR |
إي سي إيبروم 64 كيلو بت I2C 8VSON
|
سيمي الموصلات
|
|
|