المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
M24C08-RDW6TP |
إي سي إيبروم 8KBIT I2C 8TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25M512JVBIQ |
إي سي فلاش 512 ميجابايت SPI 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT53E1G32D2FW-046 الوزن: أ |
LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S29GL256S10TFI020 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
23LC1024-I / ص |
IC SRAM 1 ميجابايت SPI/رباعية 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C024AV-25AXCT |
IC SRAM 64 كيلو بايت متوازي 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S29GL01GS11TFA010 |
فلاش IC 1 جيجا بايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY62137CVSL-70BAXI |
IC SRAM 2 ميجابايت بالتوازي 48FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
24AA02T-I / ST |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MEM3745-128CF-C |
متوافق مع سيسكو MEM3745-128CF F
|
برولابز
|
|
|
|
|
|
CY7C1548KV18-450BZI |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CAV24C02YE-GT3 |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 8TSSOP
|
نصف
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA8E12-مات |
SPI فلاش ولا SPI 64MX4 TBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
71016NS15PHG |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 44TSOP II
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
S29GL512S11DHSS20 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS61QDPB42M36A2-500M3LI |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S29GL256S90DHI010 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY62126EV30LL-45BVXI |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 48VFBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
24AA256-I/P |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت I2C 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR |
IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
W25N02JWSFIF TR |
فلاش IC 2 جيجا بايت SPI/رباعي 16 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
S26KS512SDABHA030 |
S26KS512S - متوازية أو متزايدة
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
S29AL008J55TFNR10 |
فلاش IC 8 ميجابايت متوازي 48TSOP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
24LC512-E/MF |
إي سي إيبروم 512 كيلو بت I2C 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
25C080/SN |
إي سي إيبروم 8 كيلو بايت SPI 3 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MD2148H3 |
IC SRAM 4KBIT موازية 18CDIP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EM6GC08EWUG-10H |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجابت بار 78FBGA
|
شركة " إترون " للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
CY7C1021CV26-15ZSXE |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V416YS15YG |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 44SOJ
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
93LC76C-I/SN |
إي سي إيبروم 8 كيلو بت مايكرو واير 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS63WV1024BLL-12JLI |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32SOJ
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
93LC66B / ST |
إي سي إيبروم 4 كيلو بت مايكرو واير 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71016S15PHG8 |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
GS88036CGT-333I |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
24LC32A / SN |
إي سي إيبروم 32 كيلو بايت I2C 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
93C56C-I/P |
إي سي إيبروم 2 كيلوبت ميكروواير 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
الـ MT5A3A4A4A4A4A4A4A4 |
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
MT48LC64M8A2P-75IT:C تر |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
S25HL512TDPMHB010 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25V1035FZUI |
فلاش IC 1 ميجابايت SPI/رباعي 8 يوسون
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
IS45S32800J-7BLA1-TR |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
93LC46CT-I/SN |
IC إيبروم 1KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL032P0XBHI033 |
فلاش IC 32 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
70V639S15BF |
IC SRAM 2.25 ميجا بايت بار 208 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL256S10DHI013 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT28HC256E-90FM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت بار 28 فلات بي كيه
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MR2A16ACYS35R |
ذاكرة IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
71V67603S133BQI8 |
IC SRAM 9 ميجابايت متوازي 165 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
AS7C34096A-10TIN |
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 44TSOP2
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
IS61NLP102418B-200B3LI-TR |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 165TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|