المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) |
اي سي درام 16 جيجا بايت 2.133 جيجا هرتز 200WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
AS4C64M8D3L-12BCNTR |
IC DRAM 512 ميجابايت متوازي 78FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
SST39VF401C-70-4C-MAQE |
فلاش IC 4 ميجابايت متوازي 48WFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MB85RC64TAPNF-G-AWE2 |
إيك فرام 64 كيلو بايت I2C 3.4 ميجا هرتز 8SOP
|
Kaga FEI America، Inc.
|
|
|
|
|
|
AS4C1G8D3LA-10BCN |
IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
70V657S15BF8 |
IC SRAM 1.125 ميجابايت بار 208كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71V016SA12BFGI |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 48 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
AS7C1024B-12JIN |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
CY7C2563KV18-500BZXI |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
AT27C020-55JU |
إي سي إيبروم 2 ميجا بايت بالتوازي 32PLCC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W94AD2KBJX5I |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجابت متوازية 90VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
S29GL01GT12TFM023 |
فلاش IC 1 جيجا بايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S29GL512S11FAIV23 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT27LV020A-12JU-T |
إي سي إيبروم 2 ميجا بايت بالتوازي 32PLCC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AT25DF011-XMHNGU-B |
إيك فلاش 1 ميجابايت SPI 104 ميجا هرتز 8TSSOP
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
CY7C1366B-166BGC |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
W632GU6NB15I |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 2 جيجابت بار 96VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
SST39VF3201B-70-4I-EKE-T |
فلاش IC 32 ميجابايت بالتوازي 48TSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V35761SA183BGGI |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C1312SV18-167BZC |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S29GL01GP12TFI010 |
فلاش IC 1 جيجا بايت متوازي 56TSOP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY7C1470BV25-200BZI |
IC SRAM 72 ميجابايت بالتوازي 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
70V631S10BFG8 |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 208 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL01GS12TFIV20 |
فلاش IC 1 جيجا بايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1470BV33-167AXC |
IC SRAM 72 ميجا بايت بار 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS43R16800E-5TL |
IC DRAM 128 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V67703S75PFG |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL512T11TFIV30 |
فلاش IC 512 ميجابايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
24CS512T-I/Q4B |
إي سي إيبروم 512 كيلو بت I2C 8UDFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FS128SAGBHV200 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V3559S80BG |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 119PBGA
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
24LC014T-E/MNY |
إي سي إيبروم 1KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8TDFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MX25L12875FZNI-10G |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
AS7C3256A-10JCN |
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
71V65603S100BQGI |
IC SRAM 9 ميجا بايت بار 165 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25FL256SDPMFIG01 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
25AA010A-I/P |
إي سي إيبروم 1 كيلوبت SPI 10 ميجا هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F TR |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
71V65703S85PFGI |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
AS7C1026B-20JCN |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 44SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
AS4C4M16D1A-5TCN |
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP الثاني
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
25LC640X-I/ST |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت SPI 2 ميجا هرتز 8 TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
GS8162Z36DGD-250IV |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
MX25L3239EM2I-10G |
إيك فلاش 32 ميجابايت SPI 104 ميجا هرتز 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
MT28EW256ABA1LJS-0SIT |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 56TSOP
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
MT4112TG-6T L:D TR |
IC DRAM 128 ميجابايت بار 66 تسوب
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
IS42S83200G-7BLI |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MX25UM25345GXDI00 |
ذاكرة
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
71024S20TYI |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32SOJ
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
25LC080BT-I/ST |
إيك إيبروم 8KBIT SPI 10 ميجا هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|