المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
CY7C1354CV25-166AXC |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W959D8NFYA5I تي آر |
IC DRAM 512 ميجابايت هايبر باص 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
EM6HB16EWKA-12IH |
IC DRAM 512 ميجابايت بار 96FBGA
|
شركة " إترون " للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
70V38L20PFGI |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
W29N01HZSINF |
IC FLASH 1GBIT موازية 48TSOP
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MX29GL512FDXFI-11G |
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 64LFBGA
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
S25FL128SAGMFVG00 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W97AH2NBVA2E |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
AT27C2048-55JU-T |
إي سي إيبروم 2 ميجا بايت بالتوازي 44PLCC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
11LC010-I / SN |
IC إيبروم 1KBIT SGL سلك 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL256SDPBHIC03 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
RMLV0816BGSA-4S2#KA0 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS42S32160F-75ETLI |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 86TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MX29GL640ELXFI-70G |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 64LFBGA
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
24AA024T-I/MC |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
70V658S10BC8 |
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 256 CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24LC32AF-I/SN |
إي سي إيبروم 32 كيلو بايت I2C 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S-25C160A0I-J8T1U3 |
إي سي إيبروم 16 كيلوبت SPI 5 ميجا هرتز 8SOP
|
شركة ABLIC
|
|
|
|
|
|
S70GL02GT12FHBV20 |
فلاش IC 2 جيجابت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
70V659S10BFG8 |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 208 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL512T13DHNV23 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY15B116QI-20BKXC |
إطار IC 16 ميجابايت SPI 20 ميجا هرتز 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MR1A16ACMA35 |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 2 ميجابايت SPI 48FBGA
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
SST39VF1602C-70-4I-B3KE-T |
فلاش IC 16 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
25AA010AT-I/ST |
إي سي إيبروم 1 كيلوبت SPI 10 ميجا هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS25WP128-RMLE-TY |
IC FLASH 128MBIT SPI 16SOIC
|
فيشاي سبراج
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128CL-15HBL |
اي سي درام 2 جيجا بايت بار 96 تي دبليو بي جي ايه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY62167GN30-45ZXI |
IC SRAM 16 ميجابايت متوازي 48TSOP I
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GS81302Q18AGD-300I |
IC SRAM 144 ميجابايت بار 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
BR25H080FJ-2CE2 |
إيك إيبروم 8KBIT SPI 10 ميجا هرتز 8SOPJ
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
70V24L20PFGI8 |
IC SRAM 64 كيلو بايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
DS2505+T&R |
إي سي إيبروم 16 كيلوبت 1-سلك TO92-3
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
AT24CM02-SSHD-T |
إيك إيبروم 2 ميجابايت I2C 1 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
FM28V020-TGTR |
IC FRAM 256 كيلو بايت متوازي 32STSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AS7C34098B-10TINTR |
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 44TSOP2
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
BU99901GUZ-WE2 |
إي سي إيبروم 32 كيلو بت I2C VCSP30L1
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
24AA256T-E/ST |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
25LC040AT-I/SN |
إيك إيبروم 4KBIT SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V3556SA100BQG8 |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت PAR 165CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
DS1200S + |
DS1200 شريحة ذاكرة الوصول العشوائي التسلسلية
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
93LC86C-E/P |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت ميكروواير 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C2644KV18-300BZI |
IC SRAM 144 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S25FL064LABBHI023 |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GS8342T36BGD-300I |
IC SRAM 36 ميجابايت متوازي 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
MT3معدل التشغيل |
LPDDR4 64G 2GX32 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
70V658S15BF8 |
IC SRAM 2 ميجابايت بالتوازي 208CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
W948D6KBHX5E تي آر |
IC DRAM 256 ميجابايت بار 60VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
CY14B104NA-ZS20XIT |
IC NVSRAM 4 ميجابايت بار 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1327G-133AXIT |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
RC28F128P33B85A |
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA
|
شركة انتل
|
|
|