المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
IS42RM16800H-6BLI-TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AT25SF321B-SSHB-T |
فلاش IC 32 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
CY62138FV30LL-45BVXIT |
IC SRAM 2 ميجابايت بالتوازي 36VFBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS42VM16160K-6BLI |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S29GL01GT12TFN023 |
فلاش IC 1 جيجا بايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1665KV18-450BZXC |
IC SRAM 144 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GD5F1GQ4UFYIGR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
MR1A16AVMA35R |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 2 ميجابايت متوازية 48FBGA
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
25AA640AT-E/ST |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت SPI 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS43R16800E-6TLI |
IC DRAM 128 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS42S83200G-7TL |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS29GL128-70DLEB |
فلاش IC 128 ميجابايت PAR 64LFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT4معدات التشغيل |
LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
MT40A1G4RH-083E: ب |
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
70V3589S133BF |
IC SRAM 2 ميجابايت بالتوازي 208CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL01GT12DHM023 |
فلاش IC 1 جيجابت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S29GL128S90DHSS23 |
فلاش IC 128 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT48LC64M8A2P-75: ج |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
71V65803S100BG |
IC SRAM 9 ميجابايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24VL014/سن |
إي سي إيبروم 1 كيلو بايت I2C 400 كيلو هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
70V3379S5BF |
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C135-25JXI |
IC SRAM 32 كيلو بايت بالتوازي 52PLCC
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY7C1061GE30-10ZXIT |
IC SRAM 16 ميجابايت متوازي 48TSOP I
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
DS1330YP-70+ |
IC NVSRAM 256 كيلو بايت بار 34PWRCAP
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
MT53E1G32D2FW-046 الوزن: ب |
IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
11LC010-E/SN |
IC إيبروم 1KBIT SGL سلك 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
M24C04-RDW6TP |
إي سي إيبروم 4KBIT I2C 8TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS43LR16800G-6BL |
ذاكرة IC DRAM 128 ميجابايت بار 60 تي إف بي جي إيه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
W631GG8NB-12 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
CY7C09199V-7AXC |
IC SRAM 1.152 ميجابايت بار 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY14B104NA-BA45XIT |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S26KS128SDABHV030 |
فلاش IC 128 ميجابايت بار 24FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
11AA020-I/P |
إي سي إيبروم 2KBIT SGL سلك 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
A1317369-C |
ديل A1317369 متوافق مع ذاكرة DDR سعة 2 جيجابايت
|
برولابز
|
|
|
|
|
|
IS46R16160D-6TLA1-TR |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGBAEA10 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1612KV18-250BZXI |
IC SRAM 144 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS46R16160D-6BLA2 |
ذاكرة الوصول العشوائي IC DRAM 256 ميجابايت PAR 60TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1413KV18-250BZCT |
IC SRAM 36 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES: أ تر |
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
24LC014-E/ST |
إي سي إيبروم 1KBIT I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS42S16400J-7BL |
ذاكرة IC DRAM 64 ميجابايت PAR 54TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AT24CM01-SHM-ب |
إيك إيبروم 1 ميجابايت I2C 1 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
M95020-DRMF3TG/K |
إيك إيبروم 2KBIT SPI 20 ميجا هرتز 8MLP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS46TR16128C-15HBLA1 |
اي سي درام 2 جيجا بايت بار 96 تي دبليو بي جي ايه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V416S15BE |
IC SRAM 4 ميجابايت متوازي 48 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71V3578S150PFG |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24CW160T-I/OT |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت I2C SOT23-5
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AS7C4096A-20JINTR |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 36SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
BR93L46RFVJ-WE2 |
إي سي إيبروم 1 كيلوبت SPI 2 ميجا هرتز 8TSSOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|