المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
25LC512T-I/SM |
إي سي إيبروم 512 كيلوبت SPI 8SOIJ
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71T75802S150BGGI8 |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS62WV25616EBLL-45BLI-TR |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24LC32AFT-E/ST |
إي سي إيبروم 32 كيلو بايت I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MX25R512FZUIH1 |
فلاش IC 512 كيلو بايت SPI/رباعي 8USON
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
AS7C1026B-15TCNTR |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
CY62256VNLL-70ZRXI |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S79FL01GSDSBHVC10 |
IC FLASH 1GBIT SPI 80MHZ 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25V4035FM2I |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
BR24G32NUX-5TR |
إي سي إيبروم 32 كيلو بايت I2C 8VSON
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
SFEM010GB2ED1TO-I-5E-11P-STD |
اي سي فلاش 80 جيجا بايت EMMC 153BGA
|
سويسبيت
|
|
|
|
|
|
CY62157EV18LL-55BVXIT |
IC SRAM 8 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1352S-133AXI |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S25FL256SDPBHBC03 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1412BV18-250BZC |
IC SRAM 36 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S27KL0642GABHI030 |
IC PSRAM 64 ميجابايت هايبربوس 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
M34E02-FDW1TP |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 8TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
M24C32-DRMN3TP / ك |
IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
CY15V102QN-50PZXI |
IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8DIP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY14B101LA-ZS45XI |
IC NVSRAM 1 ميجابايت بار 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS43R16320E-5TLI |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
25AA160BT-I/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL128P10FAI022 |
فلاش IC 128 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W25N01JWZEIG |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
الـ MT5D512M64D4NZ-046 WT:E |
IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
MT421معدل الوصول |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 90VFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT TR |
إيك فلاش 1 جيجابت SPI 133 ميجا هرتز 16SO
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
A0735490-C |
ديل A0735490 متوافق مع ذاكرة DDR سعة 2 جيجابايت
|
برولابز
|
|
|
|
|
|
GD25Q80CSIGR |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
D2516ECMDXGJD-U |
ذاكرة IC DRAM 4 جيجابت بار 96FBGA
|
كينغستون
|
|
|
|
|
|
GD25Q16CSIGR |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
70T3339S133BCI |
IC SRAM 9 ميجا بايت بالتوازي 256 CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL512S10GHI010 |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S26KS128SDGBHM030 |
S26KS512S - 3 فولت 512 ميجابايت، هايبرفلا
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
IS46TR16640CL-107MBLA2 |
اي سي درام 1 جيجا بايت بار 96 تي دبليو بي جي ايه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
25AA160D-E/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24C00T-E/ST |
إي سي إيبروم 128B I2C 100 كيلو هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
BR25L010FVJ-WE2 |
إي سي إيبروم 1 كيلو بايت SPI 5 ميجا هرتز 8 TSSOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
71V65803S133BQ |
IC SRAM 9 ميجابايت متوازي 165 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABNFV100 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST25VF040B-50-4I-QAE |
إيك فلاش 4 ميجابايت SPI 50 ميجا هرتز 8WSON
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SM662PAF BFSS |
إيك فلاش إي إم إم سي 160 جيجا بايت 153 بغا
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|
|
|
|
71V016SA12Y |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 44SOJ
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
MT57W512H36BF-7.5 |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 165FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
25LC160D-I/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MR10Q010CMB |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 1 ميجا بايت SPI/رباعية 24 جيجا بايت
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
AS7C32096A-15TCN |
IC SRAM 2 ميجابايت متوازي 44TSOP2
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
24FC01-I/MS |
إيسي إيبروم 1KBIT I2C 1 ميجا هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1461KV33-133AXI |
IC SRAM 36 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71T75802S133BGG |
IC SRAM 18 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|