المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
AT28HC64B-70JU |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت بالتوازي 32PLCC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V65903S85BQG8 |
IC SRAM 9 ميجابايت متوازي 165 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71V416L10PH |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR |
IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
IS43TR81280BL-125KBLI-TR |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجابت متوازية 78 تيرابايت جي ايه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS7C3256A-12JCNTR |
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
IS66WV1M16EBLL-55BLI |
IC PSRAM 16 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V3577S75BQG |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت PAR 165CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI # D0 |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25FL256LAGNFV011 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
25LC160T-I/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SPI 2 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
BR24G01FJ-3GTE2 |
إي سي إيبروم 1KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8SOPJ
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
AS4C256M16D3C-10BCN |
ذاكرة IC DRAM 4 جيجابت بار 96FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
CY7C1380KV33-167AXI |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V35761SA166BQG |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت PAR 165CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71016S12PHG |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 44TSOP II
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
71V65803S100PFG |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C1263KV18-400BZC |
IC SRAM 36 ميجابايت بالتوازي 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
93C46AT-E / SN |
IC إيبروم 1KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT58L256L36FS-85 |
ذاكرة التخزين المؤقت SRAM، 256KX36، 8.5NS PQFP1
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
M24C02-WMN6TP |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
AT28C256-15JU-T |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت بار 32 بي إل سي سي
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
AS6C2008-55BINTR |
IC SRAM 2 ميجابايت متوازي 36TFBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
25LC320A-I / P. |
إي سي إيبروم 32 كيلوبت SPI 10 ميجا هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT41K256M16TW-107 أوت: ص |
ذاكرة IC DRAM 4 جيجابت بار 96FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CY7C1520KV18-250BZXC |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT24C32E-STUM-T |
إي سي إيبروم 32 كيلو بايت I2C SOT23-5
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
6116LA120DB |
IC SRAM 16 كيلو بايت متوازي 24 CDIP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
93LC56B-E/P |
إي سي إيبروم 2 كيلوبت ميكروواير 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
7130LA25JGI8 |
IC SRAM 8KBIT موازية 52PLCC
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
M24128-BRDW6TP |
إي سي إيبروم 128 كيلو بت I2C 8TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
R1LP0108ESF-5SR#B0 |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32TSOP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABMFV103 |
S25FL127S - (16 MB) 3.0 V SPI Fl
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
AT28C256-20DM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت بار 28 سيرديب
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY15E064Q-SXET |
IC FRAM 64KBIT SPI 16MHZ 8SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
25AA128T-I / SN |
إي سي إيبروم 128 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS25WP128F-RMLE-TY |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MTFC64GASAONS-IT |
اي سي فلاش 512 جيجا بايت UFS2.1 153TFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CAT24C256LI-G |
CAT24C256 - إيبروم 256 كيلو بايت 32 كيلو إكس
|
نصف
|
|
|
|
|
|
CY7C13451G-100BZXE |
IC SRAM 4 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1041G30-10ZSXET |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V2556S150PFG8 |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
7132LA20JG8 |
IC SRAM 16 كيلو بايت بالتوازي 52PLCC
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS45S32200L-7TLA1-TR |
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP الثاني
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S29GL064N90FFIS40 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT27C010-70PU |
إي سي إيبروم 1 ميجابايت بالتوازي 32DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY62147G30-45BVXA |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
GS881Z36CGD-333I |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|