المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
70T631S10BF8 |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 208 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S26KL256SDABHB030 |
فلاش IC 256 ميجابايت بار 24FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
E28F020120 |
فلاش IC 2 ميجابايت متوازي 32TSOP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
SST25PF040CT-40E/SN |
إيك فلاش 4 ميجابايت SPI 40 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SST26VF020A-104I / SN |
فلاش IC 2 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS42S16800F-7BL-TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS43DR81280B-25DBL |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجا بايت متوازية 60 تيرابايت جيجا
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS6C2008-55TIN |
IC SRAM 2 ميجابايت بالتوازي 32TSOP I
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
7130SA100CB |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25FL512SDPMFI013 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25R512FBFIL0 |
إي سي فلاش 512 كيلو بايت SPI/رباعي 8WLCSP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
NDL86PFG-9MIT TR |
DDR3L 8 جيجابايت X16 FBGA 9X13(X1.2) 18
|
شركة إنسيجنيس للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
S25FL216K0PMFI010 |
IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOIC
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
25LC256-E / SN |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MX25U2033EZBI-12G |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
IS42S16400J-5TL |
IC DRAM 64 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V3556S166PFGI |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25HL512TDPBHM010 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
25LC040AT-E/ST |
إيك إيبروم 4KBIT SPI 10 ميجا هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1423AV18-167BZC |
IC SRAM 36 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16LY-062E AUT: E |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
AT28BV64B-20JU |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت بالتوازي 32PLCC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
BR24T64FVT-WE2 |
إي سي إيبروم 64 كيلو بت I2C 8TSSOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
IS43R16320D-5BLI |
ذاكرة IC DRAM 512 ميجابايت بار 60 تي إف بي جي إيه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24FC256T-I/SM |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8 سويج
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
23A512-E/P |
IC SRAM 512KBIT SPI/رباعية 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1370DV25-200BZC |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY7C1021B-12ZC |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 44TSOP II
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4I-S2AF |
إيك فلاش 16 ميجا بايت SPI 50 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W989D2DBJX6I تي آر |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 90VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS46R16160F-6TLA2-TR |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S26KS256SDGBHA030 |
S26KS256S - متوازية أو متزايدة
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
MT2معدل التشغيل |
LPDDR5 64G 2GX32 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
IS45S16320D-6CTLA1-TR |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MX25R8035FBHIH2 |
فلاش آي سي 8 ميجابايت SPI/رباعي 8WLCSP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
MX25U8035EM2I-10G |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
CY7C1020B-12VXCT |
IC SRAM 512 كيلوبت بالتوازي 44SOJ
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
UPD46365184BF1-E40-EQ1-A |
كيو دي آر سرام، 2MX18، 0.45NS
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24AA04H-I/P |
إي سي إيبروم 4KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
7132LA25JGI8 |
IC SRAM 16 كيلو بايت بالتوازي 52PLCC
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MT41K512M8DA-093: ف تر |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S25FL128SAGBHI210 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT25XE011-SSHN-T |
إيك فلاش 1 ميجابايت SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGMFIG11 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S29GL064S70FHI020 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
M95128-RDW6TP |
IC EEPROM 128KBIT SPI 8TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W632GU8NB-15 تي آر |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 2 جيجابت بار 78VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
R1EX24256BSAS0I#S1 |
إيبروم، 32KX8، المسلسل
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS45S32400F-7TLA1 |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP الثاني
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS7C256A-15JCNTR |
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|