المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
DS1245WP-150+ |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
CY27C256-120PI |
IC EPROM 256 كيلو بايت بالتوازي 28DIP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
24AA025E48-E / SN |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
M24512-DRDW3TP/ك |
إي سي إيبروم 512 كيلو بايت I2C 8TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W631GU8NB-09 تي آر |
IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
AT24C16C-MAHM-T |
إيك إيبروم 16KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SM662PBE بفست |
اي سي فلاش 2 تيرا بايت EMMC 153BGA
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|
|
|
|
S29AL016J70BFN023 |
فلاش IC 16 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CG7339AM |
خاص
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY15B102QN-50SXI |
IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
08EM08-N3GML36-01B00 |
ذاكرة الوصول العشوائي IC FLSH 8 جيجابايت EMMC 221VFBGA
|
كينغستون
|
|
|
|
|
|
S25FL256SAGBHI303 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C107D-10VXIT |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 28SOJ
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AS7C31025B-15JCNTR |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
M95M04-DRMN6TP |
إيك إيبروم 4 ميجابايت SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
BR25G128NUX-3TR |
إي سي إيبروم 128 كيلو بايت VSON008X2030
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
IS61NLP12836B-200TQLI-TR |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS7C34096A-15JINTR |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 36SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
IS64C6416AL-15TLA3-TR |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
W9864G6JT-6I |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 64 ميجابايت LVTTL 54TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT47H128M16RT-25E AIT: ج |
ذاكرة IC DRAM 2 جيجابت متوازية 84FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
M10082040054X0PSAY |
إيك رام 8 ميجابايت 54 ميجا هرتز 8 سويش
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71V25761S166PF |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 100TQFP
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
25LC640A-I / ST |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت SPI 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS43DR16320C-3DBLI |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S29GL256S11TFV020 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SM662GEC بفست |
اي سي فلاش 512 جيجا بايت EMMC 100BGA
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|
|
|
|
70V631S12BFI8 |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 208 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29AL016J55TFI020 |
فلاش IC 16 ميغا بايت متوازي 48TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST39VF800A-70-4I-B3KE-T |
فلاش IC 8 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29PL064J60BFW073 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 56FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BR24S32NUX-WTR |
إي سي إيبروم 32 كيلو بت VSON008X2030
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
S25FL256SAGMFVG00 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY62128ELL-45ZXIT |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32TSOP I
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT45DQ161-SSHFHD-T |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
R1LV0414DSB-7LI#B0 |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL512S11DHA023 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT40A1G8SA-062E: ر |
ذاكرة IC DRAM 8 جيجابت متوازية 78FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
71256SA25YG |
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28SOJ
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
W9816G6JH-7 تي آر |
ذاكرة الوصول العشوائي IC DRAM 16 ميجابايت LVTTL 50TSOP II
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
SST39LF401C-55-4C-B3KE |
فلاش IC 4 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
7054L20PRFG |
IC SRAM 32 كيلو بايت متوازي 128TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
70T3599S133BC |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 256 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25FL256LAGBHI020 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
93C46AX-I/SN |
IC إيبروم 1KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS65WV12816BLL-55TLA3 |
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS61LV5128AL-10TLI |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
25AA010A-I / SN |
إيسي إيبروم 1 كيلو بايت SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7S1061G18-15ZSXI |
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|