المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
24LC16B / ص |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت I2C 400 كيلو هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY62167GN-45ZXI |
IC SRAM 16 ميجابايت متوازي 48TSOP I
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
70T659S12BC |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 256 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
AT25XV041B-MHV-T |
إيك فلاش 4 ميجابايت SPI 85 ميجا هرتز 8UDFN
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
CY7C1325S-100AXI |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
W989D6DBGX6E تي آر |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 512 ميجابايت، LVCMOS 54VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IS25LP064A-JKLE-TR |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S25HL512TDPNHV010 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25FL256SAGBHIS00 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
24LC08BHT-I/MS |
إي سي إيبروم 8KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT3معدل الوصول إلى الموقع |
IC DRAM 64GBIT 2.133GHz FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
70T3539MS133BCI8 |
IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS42S32800G-7BLI |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1305BV25-167BZC |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
47C04-E/ST |
IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS43R16320D-5BLI-TR |
ذاكرة IC DRAM 512 ميجابايت بار 60 تي إف بي جي إيه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
FEMC002GTTG7-T24-17 |
اي سي فلاش 16 جيجا بايت EMMC 153FBGA
|
شركة فليكسون بي تي إي المحدودة
|
|
|
|
|
|
إصدار إصدار إصدار إصدار إصدار |
IC SRAM 18 ميجا بايت بالتوازي 100LQFP
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY62136EV30LL-45BVXI |
IC SRAM 2 ميجابايت متوازي 48VFBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR |
ذاكرة IC DRAM 4 جيجابت بار 96FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S29AL008J70BAI020 |
فلاش IC 8 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS25LP128-JKLE |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V3577S80BGI |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 119PBGA
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
IS62WV6416ALL-55BLI-TR |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S-93C66BD0I-I8T1U |
إي سي إيبروم 4 كيلو بايت SPI 2 ميجا هرتز SNT8A
|
شركة ABLIC
|
|
|
|
|
|
S25FS256SAGMFI000 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
M5M51008DKV-70HIST |
ذاكرة الوصول العشوائي القياسية، 128KX8
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
25LC128-E/SN |
إي سي إيبروم 128 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S26KL128SDABHI030 |
فلاش IC 128 ميجابايت بار 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S25FL256SDSBHI213 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S70KS1282GABHV023 |
IC PSRAM 128 ميجابايت متوازي 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT45DQ161-MHF2B-T |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 8UDFN
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
CY7C1312TV18-167BZC |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MX25U1635FBAI-10G |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 12WLCSP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
IS62WV1288FBLL-45TLI-TR |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32TSOP I
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS7C1025B-15TJCN |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
AT28C256E-15LM/883-815 |
إي سي إيبروم 256 كيلوبت بالتوازي 32LCC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V016SA12PHGI8 |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 44TSOP II
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
70T653MS10BCG |
IC SRAM 18 ميجا بايت بالتوازي 256 CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
6116SA25SOG |
IC SRAM 16 كيلو بايت بالتوازي 24 سويش
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S25FS128SDSBHV200 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SST39VF800A-70-4I-MAQE-T |
فلاش IC 8 ميجابايت متوازي 48WFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MX25U12835FZ2I-10G |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
MT40A1G16KNR-075 تكنولوجيا المعلومات:E |
DDR4 16G 1GX16 FBGA DDP
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
N24C02UDTG |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 1 ميجا هرتز US8
|
نصف
|
|
|
|
|
|
PCD8572I/P |
إيسي إيبروم 1KBIT I2C 100 كيلو هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL512T11FHB023 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S25HL01GTDPBHM033 |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
24AA128-I / ص |
إي سي إيبروم 128 كيلو بت I2C 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|