المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
الـ AT25DN512C-SSHFGP-T |
اي سي فلاش 512 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
M30042040108X0ISAR |
ذاكرة IC RAM 4MBIT SPI 108MHZ 8SOIC
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY14B104LA-ZS25XIT |
IC NVSRAM 4 ميجابايت بار 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
93C46A-E/SN |
IC إيبروم 1KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24AA32AFT-I/SN |
إي سي إيبروم 32 كيلو بايت I2C 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S-24C512CI-J8T1U4 |
إي سي إيبروم 512 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8SOP
|
شركة ABLIC
|
|
|
|
|
|
AT25DF041B-MHN-Y |
إيك فلاش 4 ميجابايت SPI 104 ميجا هرتز 8UDFN
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
STK11C88-SF45TR |
IC NVSRAM 256 كيلو بت بار 28 سويك
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT53E512M32D1ZW-046 AIT: ب |
LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
W632GU6NB-15 |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 2 جيجابت بار 96VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
24AA025UIDT-I/SN |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS46DR16320C-3DBLA2-TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
GD25LQ64CSIG |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
AT24C02C-MAHM-T |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 1 ميجا هرتز 8UDFN
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
CY14B108K-ZS25XI |
IC NVSRAM 8 ميجابايت بار 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S25FL256LAGMFM001 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
C-667D2N5/2 جيجابايت |
JEDEC قياسي 2 جيجا DDR2-667 ميجا هرتز U
|
برولابز
|
|
|
|
|
|
93AA56CT-I/SN |
IC إيبروم 2KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V67703S85PFGI8 |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S26KL512SDABHN030 |
S26KL512S - 3V 512MBIT، HYPERFLA
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
BR25040N-10SU-2.7 |
إي سي إيبروم 4 كيلوبت SPI 3 ميجا هرتز 8TSSOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
S29GL512T10TFI010 |
فلاش IC 512 ميجابايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25R2035FM1IH1 |
ذاكرة
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
IS42S32160F-6TL |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 86TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
DS2430AP + |
إي سي إيبروم 256 بت 1-سلك 6TSOC
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
71T75602S150BGG8 |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS62C1024AL-35QLI-TR |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24AA04HT-I/MNY |
إي سي إيبروم 4KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8TDFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
GS8322Z36AGB-250IV |
IC SRAM 36 ميجابايت متوازي 119FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
NDS73PT9-16IT تر |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP الثاني
|
شركة إنسيجنيس للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
S29GL128P90FFIR23 |
فلاش IC 128 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS34ML01G084-بلي |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS62WV51216BLL-55TLI |
IC SRAM 8 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24C02CT / SN |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W74M12JWZPIQ |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
S29GL064S70BHA043 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
93AA46AT-I / OT |
IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL064S70FHI010 |
فلاش IC 64 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS45S16320F-7CTLA2 |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 54TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY62167G18-55BVXIT |
IC SRAM 16 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S25FL256LDPMFV003 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS43R16320D-6TL-TR |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS61NVP51236B-200B3LI-TR |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 165TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS6C2008A-55STINTR |
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 32STSOP
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
NDL86PFG-9MIT |
DDR3L 8 جيجابايت X16 FBGA 9X13(X1.2) 18
|
شركة إنسيجنيس للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
AS7C4098A-20JINTR |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 44SOJ
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
24AA02HT-I/MS |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL512T10TFA010 |
فلاش IC 512 ميجابايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS21TF16G-JCLI-TR |
اي سي فلاش 128 جيجابايت MMC 153VFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT4معدل التشغيل |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 8 جيجا بايت LPDDR4 TFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|