المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
IS43LR16640A-5BLI |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجا بايت متوازية 60 تيرابايت جيجا
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS61WV25616BLL-10KLI |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 44SOJ
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1061G-10BVJXI |
IC SRAM 16 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
11LC161T-I/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SGL واير 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT4معدل الوصول إلى الموقع |
LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
71V67703S80BGGI8 |
IC SRAM 9 ميجابايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
SM662GXE بيس |
اي سي فلاش EMMC 100BGA
|
شركة سيليكون موشن
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABACAWP-AIT: ج |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S70FL01GSPDPMFI011 |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY15B256Q-SXAT |
IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT40A512M8SA-062E آيت:F |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
7024L15PFG |
IC SRAM 64 كيلو بايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70HIBT |
ذاكرة الوصول العشوائي SRAM 1 ميجا بت (128 كيلو × 8)
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71V65803S100BGG |
IC SRAM 9 ميجابايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
EM6GE16EWXD-10IH |
ذاكرة IC DRAM 4 جيجابت بار 96FBGA
|
شركة " إترون " للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
CY7C1460AV25-167AXCT |
IC SRAM 36 ميجا بايت بار 100TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
M24C32-FMC6TG |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8UFDFPN
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
93AA46AE48-I/SN |
IC إيبروم 1KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
DS1220AD-200IND + |
IC NVSRAM 16 كيلو بايت بالتوازي 24EDIP
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
24LC01B/ST |
إي سي إيبروم 1KBIT I2C 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
70V659S15BF |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 208 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
25LC160C-E/SN |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGMFB011 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
25LC160AT-I / MS |
إي سي إيبروم 16 كيلوبت SPI 10 ميجا هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24AA044-I/SN |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S27KS0642GABHI030 |
IC PSRAM 64 ميجابايت هايبربوس 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
25LC128-I / ص |
IC EEPROM 128KBIT SPI 10MHZ 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FS512SAGNFV013 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1513KV18-250BZI |
IC SRAM 72 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT41K512M16HA-125: أتر |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
M10042040108X0ISAY |
إيك رام 4 ميجابايت 108 ميجا هرتز 8 سويش
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
AS4C128M8D3LB-12BINTR |
ذاكرة IC DRAM 1 جيجابت متوازية 78FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
S29GL128P11FFIV10 |
فلاش IC 128 ميجابايت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BR24G02FVT-3GE2 |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 8TSSOPB
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
W9425G6KH-5I تي آر |
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
CY7C1370B-133BGC |
IC SRAM 18 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
71V3577S75PFGI |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29GL256P90FFCR13 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S34MS02G100TFI000 |
فلاش IC 2 جيجابت متوازي 48TSOP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
M95128-RMN6P |
إي سي إيبروم 128 كيلو بايت SPI 8 سويش
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
71V3556SA166BQGI |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت PAR 165CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C1041CV33-12ZCT |
IC SRAM 4 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S25FL132K0XMFIQ10 |
فلاش IC 32 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
25LC256-م/مف |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت SPI 10 ميجا هرتز 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS42S32160F-75EBL-TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S27KS0642GABHA023 |
IC PSRAM 64 ميجابايت متوازي 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V65803S133BQI |
IC SRAM 9 ميجابايت متوازي 165 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
A1371192-C |
ديل A1371192 متوافق مع ذاكرة DDR سعة 2 جيجابايت
|
برولابز
|
|
|
|
|
|
IS61NLF12836EC-7.5TQLI-TR |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100LQFP
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AT45DB641E-SHN2B-T |
IC فلاش 64 ميجابت SPI 85MHZ 8SOIC
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|