المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
M95256-DRDW8TP/ك |
إي سي إيبروم 256 كيلو بايت SPI 8TSSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
11LC161T-E/MS |
إي سي إيبروم 16 كيلو بايت SGL واير 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
GD25LQ256DWIGR |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
جيجا ديفيس سيمي كوندكتور (HK) المحدودة
|
|
|
|
|
|
71V124SA15Y |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32SOJ
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1318CV18-250BZXC |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
CY7C1347F-200BGC |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 119PBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
24LC22A-I/P |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL512SDSBHI213 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
24C02C/P |
إي سي إيبروم 2KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
R1RW0408DGE-2PI#B1 |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 36SOJ
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
93AA56AXT-I/SN |
IC إيبروم 2KBIT ميكروواير 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SST25WF040BT-40I / SN |
إيك فلاش 4 ميجابايت SPI 40 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FS256SAGMFM000 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT2معدل التشغيل |
LPDDR5 32 جيجابايت 32 315/315 TFBGA 2
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
S29GL256S90GHI010 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 56FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
25LC640AT-I / MS |
إي سي إيبروم 64 كيلوبت SPI 10 ميجا هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY14B101KA-ZS45XI |
IC NVSRAM 1 ميجابايت بار 44TSOP II
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS43TR16640CL-125JBLI-TR |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
6116SA55TDB |
IC SRAM 16 كيلو بايت متوازي 24 CDIP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
71024S12YG8 |
IC SRAM 1 ميجابايت بالتوازي 32SOJ
|
IDT ، Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
S29GL256S11TFV023 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT24CSW010-STUM-T |
IC EEPROM 1KBIT I2C TSOT23-5
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGBHID10 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 24BGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT4المنطقة الوسطى |
LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
FEMC512GBE-E530 |
IC FLASH 4TBIT EMMC 5.1 100FBGA
|
شركة فليكسون بي تي إي المحدودة
|
|
|
|
|
|
25LC040A-I/SN |
إيك إيبروم 4KBIT SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL01GS11TFV023 |
فلاش IC 1 جيجا بايت متوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
71V35761SA166BGG8 |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
W66BM6NBUAFJ |
اي سي درام 2 جيجابت LVSTL 11 200WFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
48L640T-I/SN |
إيك إيرام 64 كيلو بايت SPI 66 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL128SDPMFIG01 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CY7C1010DV33-10VXIT |
IC SRAM 2 ميجابايت بالتوازي 36SOJ
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MT53E512M32D1ZW-046 AAT: ب |
LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
AT24HC04B-TH-T |
إي سي إيبروم 4KBIT I2C 1 ميجا هرتز 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL128LAGNFM010 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BU99022NUX-3TR |
إي سي إيبروم 4KBIT I2C VSON008X2030
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
AT25640B-SSHL-B |
IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
SST39SF020A-55-4I-WHE |
فلاش IC 2 ميجابايت متوازي 32TSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CY7C1371KV33-133AXCT |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W25Q256JVBIQ |
إي سي فلاش 256 ميجابايت SPI 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
SST39LF801C-55-4C-B3KE |
فلاش IC 8 ميجابايت متوازي 48TFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
الـ MT40A1G16TD-062E AAT:F |
DDR4 16G 1GX16 FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CY7C1470BV33-167AXCT |
IC SRAM 72 ميجا بايت بار 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
R1EX24008ATAS0I#S0 |
إي سي إيبروم 8KBIT I2C 8TSSOP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MR3A16ACMA35 |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 8 ميجابايت متوازية 48FBGA
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
AT24C64BN-10SU-2.7 |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت I2C 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL512S10FHSS60 |
فلاش IC 512 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
70V3379S4BF |
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
24LC01BT-E/LT |
إي سي إيبروم 1KBIT I2C SC70-5
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS42S32400F-6TLI-TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP الثاني
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|