المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
S25FL256SDSMFV011 |
فلاش IC 256 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
24AA32AT-I/SM |
إي سي إيبروم 32 كيلوبت I2C 8SOIJ
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
11LC040T-E / TT |
IC إيبروم 4KBIT SGL سلك SOT23-3
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25HS512TFANHM010 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
24FC04HT-E/SN |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29GL01GT11DHIV10 |
فلاش IC 1 جيجابت متوازي 64FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S27KS0642GABHV023 |
IC PSRAM 64 ميجابايت متوازي 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S29AL008J70BFN010 |
فلاش IC 8 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CAT25320HU4I-GT3 |
إي سي إيبروم 32 كيلوبت SPI 10 ميجا هرتز 8UDFN
|
نصف
|
|
|
|
|
|
71V3578S133PFG |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C25652KV18-400BZXI |
IC SRAM 72 ميجابايت بالتوازي 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BR24H16FJ-5ACE2 |
إيسي إيبروم 16 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8SOPJ
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
M93C46-WMN6TP |
IC إيبروم 1KBIT ميكروواير 8SOIC
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
71V67703S80BGGI |
IC SRAM 9 ميجابايت بار 119PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
70V3319S166BCG |
IC SRAM 4.5 ميجا بايت بار 256 كابجا
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
TC58BYG2S0HBAI4 |
اي سي فلاش 4G متوازي 63TFBGA
|
Kioxia America، Inc.
|
|
|
|
|
|
CY15B108QI-20LPXI |
إيك فرام 8 ميجابايت SPI 20 ميجا هرتز 8GQFN
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
25AA160C-I/ST |
إي سي إيبروم 16 كيلوبت SPI 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S29AS008J70BFI020 |
فلاش IC 8 ميجابايت متوازي 48FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MR3A16AMA35R |
ذاكرة الوصول العشوائي IC 8 ميجابايت متوازية 48FBGA
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
25LC160B-E/ST |
إي سي إيبروم 16 كيلوبت SPI 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
25LC040 / ص |
إيسي إيبروم 4KBIT SPI 2 ميجا هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
DS1230W-100+ |
IC NVSRAM 256 كيلو بت بار 28 إي دي آي بي
|
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGMFAR13 |
فلاش IC 512 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BR24G01F-3GTE2 |
إي سي إيبروم 1KBIT I2C 400 كيلو هرتز 8SOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
EM995UT-C |
HP EM995UT متوافق مع 2 جيجابايت DDR2-6
|
برولابز
|
|
|
|
|
|
IS43R16320F-5TLI-TR |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS43DR86400C-3DBL-TR |
IC DRAM 512 ميجابايت PAR 60TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY62157ELL-55ZSXEKJ |
ذاكرة الوصول العشوائي غير المتزامنة
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
25AA640AT-I/ST |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت SPI 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
70T3799MS133BBG |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 324PBGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MT25QU512ABB1EW9-0SIT |
إي سي فلاش 512 ميجابايت SPI 8WPDFN
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
IS43R16800E-6TL |
IC DRAM 128 ميجابايت PAR 66TSOP II
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
70V658S12BFGI8 |
IC SRAM 2 ميجابايت بالتوازي 208CABGA
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S26KS512SDABHB030 |
فلاش IC 512 ميجابايت بار 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT28C256E-25FM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت بار 28 فلات بي كيه
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
24LC01B-E/SN |
إي سي إيبروم 1 كيلو بايت I2C 400 كيلو هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
CAT24M01XI-T2 |
إيك إيبروم 1 ميجابايت I2C 1 ميجا هرتز 8 سويش
|
نصف
|
|
|
|
|
|
GS81302D37AGD-450I |
IC SRAM 144 ميجابايت بار 165FPBGA
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
S25FL064LABMFB011 |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
24AA512-I / SM |
إي سي إيبروم 512 كيلو بت I2C 8 سويج
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 |
إطار IC 64 كيلو بايت I2C 1 ميجا هرتز 8SOP
|
Kaga FEI America، Inc.
|
|
|
|
|
|
IS46TR16128DL-125KBLA1 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1354C-166BGCMG |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 119PBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
UPD46184184BF1-E40-EQ1-A |
DDR SRAM، 1MX18، 0.45NS
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S26HL512TFBHI010 |
IC FLASH 512MBIT SPI 24FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS42VM16160K-75BLI |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C0850V-133AC |
IC SRAM 1 ميجابايت متوازي 176TQFP
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
S29GL256S90FHA023 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|