المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
AS6C6416-55TINTR |
IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
MR0A08BYS35R |
ذاكرة الوصول العشوائي 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
|
شركة Everspin Technologies
|
|
|
|
|
|
70V24L15PFG8 |
IC SRAM 64 كيلو بايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS25LP128F-RMLE-TY |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1371C-117BGC |
IC SRAM 18 ميجابايت بار 119PBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
25AA160BT-I/ST |
إي سي إيبروم 16 كيلوبت SPI 8TSSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MX25V16066M2I02 |
IC FLASH 16MBIT SPI 80MHZ 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
IS49NLC96400A-25WBL |
IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MX25U12835FM2I-10G |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP
|
ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
S29GL01GS11DHIV13 |
فلاش IC 1 جيجابت متوازي 64FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
R1LV0408DSP-5SI#B0 |
IC SRAM 4 ميجا بايت بالتوازي 32SOP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
MT4112M2M2M2M2M2M2 |
ذاكرة IC DRAM 16 جيجا بايت متوازية 78FBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CY7C25702KV18-400BZC |
IC SRAM 72 ميجابايت بالتوازي 165FBGA
|
شركة السرو لأشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-E08 |
اي سي فلاش 64 جيجا بايت EMMC 153BGA
|
سويسبيت
|
|
|
|
|
|
AT45DB161E-MHF2B-T |
إيك فلاش 16 ميجابايت SPI 85 ميجا هرتز 8UDFN
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
MT53D512M32D2DS-053 AIT: د |
IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
CY7C1361KVE33-133AXM |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AT24CSW010-UUM0B-T |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 4WLCSP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
93AA66CT-I / MC |
إي سي إيبروم 4 كيلو بايت مايكرو واير 8DFN
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
R1EX24256BTAS0I#S0 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت I2C 8TSSOP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
93AA66C-I / P. |
إي سي إيبروم 4 كيلو بايت ميكروواير 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA8E12-1SIT تي آر |
IC FLASH 256MBIT SPI 24TPBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
SST39WF1601-70-4I-MAQE |
فلاش IC 16 ميجابايت متوازي 48WFBGA
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
S25FL064LABNFM013 |
فلاش IC 64 ميجابايت SPI/رباعي 8WSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
S25FL128SDPMFIG03 |
فلاش IC 128 ميجابايت SPI/رباعي 16 سويش
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CAT28LV65GI15 |
EEPROM ، 8KX8 ، 150ns ، متوازية ، C
|
نصف
|
|
|
|
|
|
CAS24S128C4ATR |
إي سي إيبروم 128 كيلو بت I2C 4WLCSP
|
نصف
|
|
|
|
|
|
71V65603S133PFGI |
IC SRAM 9 ميجابايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
CY7C1041GE30-10BVXI |
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
W25Q01NWSFIQ TR |
فلاش IC 1 جيجا بايت SPI/رباعي 16 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
SFEM256GB1ED1TO-I-8H-111-STD |
اي سي فلاش 2 تيرا بايت EMMC 153BGA
|
سويسبيت
|
|
|
|
|
|
AS6C2008-55SIN |
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 32SOP
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
CY7C1420KV18-250BZC |
IC SRAM 36 ميجابايت بار 165FBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IS43R16320F-6BLI-TR |
ذاكرة IC DRAM 512 ميجابايت بار 60 تي إف بي جي إيه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
GS816036DGT-333I |
IC SRAM 18 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT تر |
IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
25LC640AT-M/SN |
إي سي إيبروم 64 كيلو بايت SPI 10 ميجا هرتز 8 سويش
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
71V2556S133PFGI8 |
IC SRAM 4.5 ميجابايت متوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
IS43LD16128B-18BL |
ذاكرة IC DRAM 2 جيجابت متوازية 134TFBGA
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT4معدل التشغيل |
اي سي درام 8 جيجابت 2.133 جيجا هرتز 200WFBGA
|
شركة ميكرون تكنولوجي
|
|
|
|
|
|
AT45DQ161-SSHF-B |
فلاش IC 16 ميجابايت SPI/رباعي 8 سويش
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
AT28C256E-25DM/883 |
إي سي إيبروم 256 كيلو بت بار 28 سيرديب
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
70V261L25PFGI |
IC SRAM 256 كيلو بايت بالتوازي 100TQFP
|
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
|
|
|
|
|
|
S29PL064J55BFI070 |
فلاش IC 64 ميجابايت بالتوازي 48VFBGA
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BR93G86NUX-3ATTR |
إي سي إيبروم 16 كيلو بت VSON008X2030
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
AT25640B-SSHL-T |
IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
IS46LR16320C-6BLA1 |
ذاكرة IC DRAM 512 ميجابايت بار 60 تي إف بي جي إيه
|
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS4C32M16D3L-12BCNTR |
IC DRAM 512 ميجابايت بالتوازي 96FBGA
|
Alliance Memory، Inc.
|
|
|
|
|
|
S29GL256S10TFV020 |
فلاش IC 256 ميجابايت بالتوازي 56TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
MX25L1006EZUI-10G |
إيك فلاش 1 ميجابايت SPI 104 ميجا هرتز 8USON
|
ماكرونيكس
|
|
|