11AA010T-I / MNY
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
تقنية الرقائق الدقيقة
الوصف:
IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE 8TDFN
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
1Kbit
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل®
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
سلك واحد
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
5 مللي ثانية
حزمة أجهزة المورد:
8-TDFN (2x3)
نوع الذاكرة:
غير متطاير
مفر:
تقنية الرقائق الدقيقة
تردد الساعة:
100 كيلو هرتز
الجهد - الإمدادات:
1.8 فولت ~ 5.5 فولت
الحزمة / الحقيبة:
8-WFDFN وسادة مكشوفة
منظمة الذاكرة:
128 × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
إيبروم
رقم المنتج الأساسي:
11AA010
تنسيق الذاكرة:
إيبروم
مقدمة
ذاكرة EEPROM IC 1Kbit سلك واحد 100 كيلو هرتز 8-TDFN (2x3)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: