AS4C16M16SA-6تانتر
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
Alliance Memory، Inc.
الوصف:
IC DRAM 256 ميجابايت PAR 54TSOP II
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
256 ميجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
السيارات، AEC-Q100
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
12ns
حزمة أجهزة المورد:
54-TSOP II
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
Alliance Memory، Inc.
تردد الساعة:
166 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
3 فولت ~ 3.6 فولت
وقت الوصول:
5 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
54-TSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم)
منظمة الذاكرة:
16 م × 16
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (تا)
التكنولوجيا:
SDRAM
رقم المنتج الأساسي:
AS4C16
تنسيق الذاكرة:
درهم
مقدمة
ذاكرة SDRAM IC 256Mbit متوازية 166 MHz 5 ns 54-TSOP II
منتجات ذات صلة
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: