IS61WV5128EDBLL-10KLI
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
الوصف:
IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 36SOJ
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
أنبوب
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
10ns
حزمة أجهزة المورد:
36-SOJ
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
حجم الذاكرة:
4 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
2.4 فولت ~ 3.6 فولت
وقت الوصول:
10 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
36-BSOJ (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم)
منظمة الذاكرة:
512 كيلو × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - غير متزامن
رقم المنتج الأساسي:
IS61WV5128
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - ذاكرة غير متزامنة IC 4Mbit متوازية 10 ns 36-SOJ
منتجات ذات صلة
IS25WP256D-JLLE-TR
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
IS25LP020E-JNLE-TR
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
IS43DR16320D-25DBLI
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS62WV1288FBLL-45HLI
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS61QDB44M18A-300M3L
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS43R16320E-6BLI
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43QR16256B-083RBL
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
IS46TR16128C-125KBLA1-TR
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
IS45S16320D-7BLA1-TR
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
IS25WP256D-JLLE-TR |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
IS25LP020E-JNLE-TR |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
|
|
IS43DR16320D-25DBLI |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
|
|
|
|
IS62WV1288FBLL-45HLI |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
|
|
|
|
IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR |
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
|
|
|
|
IS61QDB44M18A-300M3L |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
|
|
|
|
IS43R16320E-6BLI |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
|
|
|
|
IS43QR16256B-083RBL |
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
|
|
|
|
IS46TR16128C-125KBLA1-TR |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
|
|
|
IS45S16320D-7BLA1-TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: