AS1C4M16PL-70BIN
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
Alliance Memory، Inc.
الوصف:
IC PSRAM 64 ميجابايت بالتوازي 49FBGA
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
49-إف بي جي إيه (4x4)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
Alliance Memory، Inc.
حجم الذاكرة:
64 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
1.7 فولت ~ 1.95 فولت
وقت الوصول:
70 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
49-WFBGA
منظمة الذاكرة:
4 م × 16
درجة حرارة العمل:
-30 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح)
التكنولوجيا:
PSRAM (Pseudo SRAM)
رقم المنتج الأساسي:
AS1C4M16
تنسيق الذاكرة:
PSRAM
مقدمة
PSRAM (SRAM الزائفة) ذاكرة IC 64Mbit متوازية 70 ns 49-FBGA (4x4)
منتجات ذات صلة
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: