RMLV0808BGSB-4S2#AA0
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
روتشستر للإلكترونيات، ذ.م.م
الوصف:
R5F51305BDFP#50 - 8 ميجابايت متقدم L
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
45ns
حزمة أجهزة المورد:
44-TSOP II
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
روتشستر للإلكترونيات، ذ.م.م
حجم الذاكرة:
8 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
2.7 فولت ~ 3.6 فولت
الحزمة / الحقيبة:
44-TSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم)
منظمة الذاكرة:
1 م × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - غير متزامن
وقت الوصول:
45 نانوثانية
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - ذاكرة غير متزامنة IC 8Mbit متوازية 45 ns 44-TSOP II
منتجات ذات صلة
RMLV0816BGBG-4S2#AC0
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
S25FL128SDPMFIG00
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
RMWV6416AGSA-5S2 # AA0
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
RMLV0414EGSB-4S2#HA1
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
RMLV0816BGBG-4S2#AC0 |
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
|
|
|
|
S25FL128SDPMFIG00 |
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
|
|
|
|
RMWV6416AGSA-5S2 # AA0 |
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
|
|
|
|
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 |
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: