70V3379S5BC
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
الوصف:
IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
256 كابجا (17 × 17)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
حجم الذاكرة:
576 كيلوبت
الجهد - الإمدادات:
3.15 فولت ~ 3.45 فولت
وقت الوصول:
5 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
256-LBGA
منظمة الذاكرة:
32K × 18
درجة حرارة العمل:
0°C ~ 70°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ مزدوج، متزامن
رقم المنتج الأساسي:
70V3379
تنسيق الذاكرة:
SRAM
مقدمة
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة متزامنة IC 576Kbit متوازية 5 ns 256-CABGA (17x17)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: