الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م) الـ (م)
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
شركة ميكرون تكنولوجي
الوصف:
LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
16 جيجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
السيارات، AEC-Q100
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
18ns
حزمة أجهزة المورد:
200-TFBGA (10x14.5)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
شركة ميكرون تكنولوجي
تردد الساعة:
2.133 جيجاهرتز
الجهد - الإمدادات:
1.06 فولت ~ 1.17 فولت
الحزمة / الحقيبة:
200-TFBGA
منظمة الذاكرة:
512 م × 32
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (ح)
التكنولوجيا:
SDRAM - موبايل LPDDR4X
وقت الوصول:
3.5 نانوثانية
تنسيق الذاكرة:
درهم
مقدمة
SDRAM - ذاكرة LPDDR4X المحمولة IC 16Gbit متوازية 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA (10x14.5)
منتجات ذات صلة
MT41K64M16TW-107 آي تي: جي
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT29F4G08ABBFAH4-IT:F TR
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT4معدل التشغيل
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT4معدل الوصول إلى الموقع
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT40A2G8SA-062E IT: F.
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT62F1G16D1DS-023 تكنولوجيا المعلومات: ب
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
MT41K64M16TW-107 آي تي: جي |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
MT29F4G08ABBFAH4-IT:F TR |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
|
|
|
MT4معدل التشغيل |
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
|
|
|
|
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
|
|
|
|
MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
MT4معدل الوصول إلى الموقع |
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
|
|
|
|
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
|
|
MT40A2G8SA-062E IT: F. |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT62F1G16D1DS-023 تكنولوجيا المعلومات: ب |
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
|
|
|
|
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: