HYB25L512160AC-7.5 ريل
![جودة [#varpname#] مصنع](/images/load_icon.gif){kind=icon}
الصانع:
تقنيات إنفينيون
الوصف:
IC DRAM 512 ميجابايت بالتوازي 54FBGA
الفئة:
ذاكرة
المواصفات
الفئة:
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة
حجم الذاكرة:
512 ميجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
14ns
حزمة أجهزة المورد:
54-إف بي جي إيه (8 × 12)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
تقنيات إنفينيون
تردد الساعة:
133 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
2.3 فولت ~ 3.6 فولت
الحزمة / الحقيبة:
54-LFBGA
منظمة الذاكرة:
32 م × 16
درجة حرارة العمل:
0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (ح)
التكنولوجيا:
SDRAM - LPDDR المحمول
وقت الوصول:
6 نانوثانية
تنسيق الذاكرة:
درهم
مقدمة
SDRAM - ذاكرة LPDDR المحمولة IC 512Mbit موازية 133 MHz 6 ns 54-FBGA (8x12)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: